В совместном заявлении, сделанном накануне открытия конференции IEEE International Electron Devices в Сан-Франциско, эта технология была названа «прорывом», который приведет к увеличению скорости транзисторов на 24% без повышения уровня рассеиваемой мощности.
Метод напряженного кремния будет использоваться в сочетании с технологией «кремний на диэлектрике» (КНД), разработанной IBM ранее и также обеспечивающей повышение производительности.
AMD сообщила, что планирует интегрировать эти технологии во все свои 90-нм платформы к середине 2005 г., т. е. примерно к тому времени, когда она выпустит свой первый двухъядерный процессор.
«Я думаю, что повышение быстродействия при сохранении низкой теплоотдачи будет главным фактором для успеха нового процессора», — говорит Оливер Пойтримол, директор компании Dynamic Advantage, занимающейся сборкой систем.
В течение последних нескольких лет, по словам Пойтримола, он наблюдал, как между AMD и Intel «с переменным успехом» шла война за наилучшее сочетание скорости и мощности процессора. Теперь, считает он, преимущество переходит к AMD.
Заявление о сотрудничестве между AMD и IBM, вероятно, повысит ставки в гонке за производительность с Intel. Она также намерена начать поставки двухъядерных кристаллов в 2005 г., заявляя, что будет использовать более совершенный и эффективный 65-нм технологический процесс, способный обеспечить повышение производительности процессора. Кроме того, Intel выпускает собственные наборы ИС, включающие микросхемы поддержки звуковых, графических и цифровых приложений, а также расширенные средства управления.
Компания AMD, главный соперник Intel на рынке процессоров для настольных ПК, пока не сообщила, когда именно она начнет переход с 90-нм на 65-нм технологический процесс. Однако сотрудничество между AMD и IBM побуждает их также к совместной разработке 65-нм и 45-нм микросхем.
Хронология соперничества
2005: AMD и IBM выпускают процессоры на основе технологии напряженного кремния; Intel переходит на 65-нм процесс, 30-нм вентиль
2007: Intel переходит на 45-нм процесс; опытный образец 20-нм вентиля
2009: Intel переходит на 32-нм процесс; опытный образец 15-нм вентиля
2011: Intel переходит на 22-нм процесс, опытный образец 10-нм вентиля