IBM планирует начать поставки новых серверов Regatta, выполненных на базе RISC-процессоров PowerPC в IV квартале текущего года. По словам Билла Цейтлера, старшего вице-президента и директора группы по серверам компании IBM, в новой линейке серверов будут применяться последние достижения инженерного подразделения IBM. В число новых разработок IBM входят, например, микропроцессорные модули, на которых умещается 2,5 млн. транзисторов на плате размером с ладонь.
Цейтлер сообщил, что процессор Power 4, основа серверов Regatta, будет состоять из двух процессорных модулей и иметь встроенную кэш-память второго уровня, при этом общее число транзисторов в шесть раз превысит аналогичный показатель конкурентных микросхем, предлагаемых компанией Sun Microsystems.
Выход новых серверов компания анонсировала на конференции Bear Stearns Technology Conference, проходившей в Нью-Йорке. Причем это объявление последовало сразу же после того, как была предложена технология «деформированного кремния», которую в IBM считают последним наиболее весомым достижением в сфере разработок микропроцессоров. Технологические достижения обеспечивают IBM уверенные позиции на рынке серверов, и это находит порой самый восторженный отклик у реселлеров, считающих, что многие из конкурентов «голубого гиганта» пока заметно отстают с точки зрения надежности.
В самой IBM уверяют, что использование деформированного кремния позволит на 35% увеличить производительность чипов. Эта технология будет применяться для производства процессоров, которые выйдут на рынок к 2003 г. «По закону Мура мы будем продолжать увеличивать производительность систем, — считает Джефф Уэльсер, менеджер по высокопроизводительным полупроводниковым технологиям в компании IBM. — А добиться повышения производительности можно за счет сокращения размеров транзисторов микросхемы». Используя методику деформации кристаллической решетки кремния, разработчики смогут изменить расстояние между атомами кремния, повысив в результате производительность микросхем и сократив потребление энергии. По словам Уэльсера, даже если размеры транзисторов оставить прежними, новая технология все равно даст увеличение производительности на 35%.
Деформированный кремний получается путем его нанесения на подложку из специально подобранного материала, расстояние между атомами которого больше, чем в чистом кремнии. В результате за счет атомарного взаимодействия с инородной кристаллической решеткой структура кремния несколько искажается на границе раздела, «вытягиваясь» вдоль подложки. В свою очередь, при таком «вытянутом» состоянии кристаллов электроны оказываются заметно подвижнее и, по словам представителей компании, именно это приводит к повышению производительности.
«Деформированный кремний — последнее достижение инженеров IBM по микроэлектронике, которые ранее уже предложили ряд технологических нововведений: использование медных проводников, технологию «кремний-на-изоляторе», а также новые типы диэлектриков», — сообщает в исследовательской записке один из аналитиков известной финансовой компании Merrill Lynch.
По оценкам экспертов, в минувшем году направление микроэлектроники дало IBM доход в размере 4 млрд. долл., а в этом году ожидается прирост 46%. Аналитики утверждают, что на них произвели положительное впечатление работы инженеров IBM и огромная научно-исследовательская база компании.