Корпорация IBM объявила аналитикам отрасли и заказчикам о своем новом плане, который предусматривает слияние двух ее технологий - "медной" и SOI (Silicon-on-Insulator - кремний на диэлектрике, КНД) - в "систему на одном кристалле", и надеется в скором времени начать поставки новых процессоров.
Кроме того, разработчики и исследователи компании объявили, что им удалось достичь заметных успехов в изготовлении процессоров на основе германида кремния (SiGe), предназначенных для использования в сетевых устройствах и средствах коммуникации с большей пропускной способностью.
Как сказано в официальном документе, распространенном на конференции по микропроцессорам, которая прошла в сконце в Вашингтоне, специалисты IBM разработали процесс, позволяющий применить SiGe-технологию в производстве процессоров высокого уровня асса для сетевых коммуникационных устройств.
Новости технологии
Новые достижения:
Разработан процесс, позволяющий использовать SiGe-технологию в производстве процессоров высокого уровня для сетевых коммуникационных устройств.
Новый процесс предназначен для сетевого оборудования и средств коммуникации с более высокой пропускной способностью.
КНД-технология позволила достичь тактовой частоты выше 1 ГГц.
Кроме того, в отдельном отчете компании сообщается, что создан процессор Power 4 PowerPC на базе 0,18-мкм КНД-технологии, который продемонстрировал способность работать на тактовой частоте больше 1 ГГц. В отчете также говорится о том, что разработана встроенная DRAM-ячейка, в которой применена новая конструкция транзистора с вертикальным доступом. В будущих гигабайтных поколениях DRAM-памяти IBM сможет предложить DRAM-ячейки, масштабируемые независимо от размера транзисторов процессора, что обеспечит их более высокую эффективность и производительность.
По наблюдению одного из аналитиков, хотя руководители компании не делали публичных заявлений, представленные документы ясно выразили ее новую, агрессивную политику лидерства на рынке систем высокого уровня.
"Они не говорят лишних слов, пока не добьются реальных результатов, - заметил Фред Зейбер, президент компании Pathfinder Research. - А эта вещь реальна".
Как заметил Зейбер, особого внимания заслуживает тот факт, что IBM применяет SiGe-технологию, чтобы повысить привлекательность своих предложений в области сетевого транспорта и средств коммуникации, в том числе для оптоволоконных сетей и сотовых телефонов.
"Думаю, их дела продвигаются очень быстро", - добавил он.
В одном из документов, под которым стоят подписи 13 исследователей и разработчиков фирмы, отмечено, что "новые, основанные на использовании высокой частоты применения", требуют более эффективной технологии сетевой обработки, позволяющей еще больше повысить пропускную способность.
Что касается достижений в области DRAM-технологии, то ее промышленная реализация по словам Зейбера, займет не менее двух лет, однако IBM по-прежнему сохраняет здесь лидирующие позиции.
"Если DRAM обладает достаточным быстродействием, то можно отказаться от статического ОЗУ и разместить на кристалле динамическую память гораздо большего объема, - пояснил он. - Это в корне меняет систему".