Корпорации Intel еще предстоит побороться за внедрение своей технологии памяти, поскольку консорциум SLDRAM не сдастся без боя. Консорциум, в который входят ведущие OEM-изготовители систем и 17 фирм–производителей модулей DRAM, взялся за разработку нового стандарта памяти, который будет внедряться в системы, начиная с нового столетия. «Наша цель — разработать архитектуру, которая в качестве открытого промышленного стандарта удовлетворила бы высокие требования наших заказчиков к пропускной способности», — заявил Фархад Табризи, председатель SLDRAM и директор по стратегическому маркетингу фирмы Hyundai Electronics America.

Среди разработчиков модулей оперативной памяти, пытающихся поспеть за постоянно увеличивающейся скоростью процессора, царит жесткая конкуренция. Intel продвигает технологию компании Rambus и предсказывает, что память, основанная на архитектуре Rambus, начнет претендовать на лидерство среди стандартов системной памяти в 1999 г. и в начале следующего столетия.

Чтобы доказать жизнеспособность своей технологии, консорциум SLDRAM наметил ряд ориентиров для индустрии, позволяющих оценивать ее развитие, заявил Табризи. Консорциум своевременно представил спецификации для своего стандарта памяти, в частности для 64-Мбит модуля SLDRAM (DRAM с синхронной связью) cо скоростью обмена 400 Мбайт/с в расчете на один вывод и с напряжением питания 2,5 В, сообщил он.

В последующих поколениях таких устройств консорциум планирует увеличение плотности до 1 Гбит и дальнейший рост пропускной способности. Первые версии новых устройств должны появиться в начале 1998 г., а во II квартале 1998 г. SLDRAM обещает выпустить демонстрационные образцы, сказал Табризи. Системы, создаваемые сегодня VAR’ами, рассчитаны на применение шины SDRAM с частотой 66 МГц. В следующем году в распоряжении VAR’ов появится шина SDRAM с быстродействием 100 МГц, что позволит ликвидировать то узкое место рабочих станций и серверов, каким является основная память.

Согласно планам SLDRAM, следующим шагом в развитии технологии памяти будет удвоение скорости передачи данных (DDR). Благодаря передаче данных с использованием обоих фронтов синхроимпульсов память с архитектурой SDRAM сможет достигать быстродействия 200 МГц, сообщил Табризи.

Технология SLDRAM опирается на особенности как DDR, так и SDRAM для организации синхронной связи. Учитывая низкое потребление энергии, SLDRAM могли бы в будущем стать подходящим решением для серверов и портативных устройств, считает Табризи. Однако консорциум стремится и к тому, чтобы эта технология стала доминирующей архитектурой памяти.

В течение ближайших нескольких лет консорциум SLDRAM постарается убедить Intel в перспективности SLDRAM; основные аргументы — низкая стоимость, высокий процент выхода годных в производстве, низкое энергопотребление и масштабируемая пропускная способность, сказал Табризи.

Если убедить Intel не удастся, обе технологии вполне могли бы сосуществовать. «Есть место как для SLDRAM, так и для Rambus», — считает Табризи. Многие производители микросхем DRAM, которые входят в консорциум SLDRAM, одновременно являются владельцами лицензий на технологию Rambus, которая на начальной стадии обеспечит пропускную способность 600 Мбайт/с и выше.


Версия для печати (без изображений)